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学术报告心得
姜泽苗12121498
今天有幸在电气楼会议室聆听了徐隆亚教授的“基于SiC和GaN功率器件的最优拓扑及其在电力系统中的应用”专题学术讲座，受益匪浅。
徐隆亚教授任美国俄亥俄州立大学工程学院终身正教授，高性能电力电子研究中心主任和智能电网中心副主任，IEEE FELLOW，曾担任IEEE/IAS工业应用学会电机委员会秘书长、副主席、主席，IEEE电力电子学报副主编，现为IEEE/IAS工业应用学会执行委员。徐隆亚教授主要研究领域为变速驱动器和变速发电系统，及其在航空、汽车、新能源生物工程等领域的广泛应用，为美国GE、GM、Boeing、Ford等各大公司承担科研项目三十余项，获得优秀科研启动奖、教授级杰出科研成就奖等5项荣誉奖励并拥有4项美国专利，发表近200篇IEEE学术论文。
通过本次讲座，我了解到目前电子向大功率、高效率、高频方向发展，SiC和GaN由于独特晶体结构，其禁带宽度达到2.2eV，其功率器件有着广阔的发展前景，应用十分广泛。具有工作温度高、热导率高、硬度高、电子饱和漂移速度快、本证载流子浓度低、抗辐射能力强、异质结二维电子气浓度高等显著优点，因而更适合于制造高温、高频、抗辐射以及大功率器件。21世纪初，美国国防先进研究技术局启动的宽禁带半导体技术计划，成为加速改善SiC和GaN等宽禁带材料和器件特征的重要催化剂。应用领域在于宽能带电力电子器件的最优拓扑、宽禁带电力电子器件的驱动技术、宽禁带半导体器件环境适应性验证技术、宽禁带半导体器件在电力系统中的新应用等方面。徐教授给我们展示了传统的电力电子拓扑和新型电力电子拓扑，如电容开关子电路，具有模块化和分散拓扑的特点。目前SiC和GaN功率器件及其相应拓扑广泛应用于电网设计工作中。
非常感谢徐教授的辛勤教导，我会以本次讲座为基点，加深对这方面知识的学习与研究。
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