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《微电子制造工艺》 课程教学大纲
一、课程说明
（一）课程名称、所属专业、课程性质、学分； 课程名称：微电子制造工艺 所属专业：微电子科学与工程 课程性质：专业必修课 学分： 4
（二）课程简介、目标与任务；
本课程作为微电子科学与工程专业的专业必修课，是半导体制造工艺的基础。主要介绍半导体制造相关的全部基础技术信息，以及制造厂中的每一道制造工艺，包括硅片氧化，淀积，金属化，光刻，刻蚀，离子注入和化学机械平坦化等内容。
该课程的目的使学生了解产业变化历史中的所有工艺和设备，以及每道具体工艺的技术发展的现状及发展趋势。
（三）先修课程要求，与先修课与后续相关课程之间的逻辑关系和内容衔接； 上本课程之前或者同时应了解半导体物理的相关知识，以便为本课程打下基础；同时本课程又是集成电路分析与设计，以及微电子制造工艺专业实验及实习的基础。
（四）教材与主要参考书。
本课程所使用的教材是《半导体制造技术》，Michael Quirk, Julian Serda著，韩郑生 等译，电子工业出版社。
主要参考书：
《半导体器件物理与工艺 》
施敏
苏州大学出版社 《硅集成电路工艺基础》
陈力俊
复旦大学出版社 《芯片制造－半导体工艺制程实用教程》 电子工业出版社 《集成电路制造技术-原理与实践》
电子工业出版社 《超大规模集成电路技术基础》
电子工业出版社 《半导体器件基础》
电子工业出版社 《硅集成电路工艺基础》
北京大学出版社
二、课程内容与安排
第一章 半导体产业介绍（3学时）第二章 半导体材料特性（3学时）第三章 器件技术（3学时）第四章 硅和硅片制备（5学时）
第五章 半导体制造中的化学品（3学时）第六章 硅片制造中的玷污控制（3学时）第七章 测量学和缺陷检查（3学时）第八章 工艺腔内的气体控制（3学时）第九章 集成电路制造工艺概况（5学时）第十章 氧化（6学时）第十一章 淀积（5学时）第十二章 金属化（5学时）
第十三章 光刻：气相成底膜到软烘（4学时）第十四章 光刻：对准和曝光（4学时）
第十五章 光刻：光刻胶显影和先进的光科技术（4学时）第十六章 刻蚀（5学时）第十七章 离子注入（4学时）第十八章 化学机械平坦化（4学时）
（一）教学方法与学时分配
采用多媒体课件与板书相结合的课堂教学方法，基于学生便于理解接受的原则，对不同讲授内容给予不同方式的侧重。学时分配详见课程内容与安排。
（二）内容及基本要求
主要内容：本章属于引言章节，主要介绍半导体产业的历史，现状及发展趋势。要求掌握和了解集成电路制造以及半导体发展的趋势。
【重点掌握】：硅和硅片制备，氧化，淀积，光刻技术
【掌握】：芯片制备过程中的清洗，金属化，刻蚀，离子注入，化学机械平坦化 【了解】： 器件技术，半导体制造中的化学品及玷污 【一般了解】： 测量学和缺陷检查，工艺腔内的气体控制 【难点】：光刻过程及离子注入
（重点掌握、掌握、了解、一般了解四个层次可根据教学内容和对学生的具体要求适当减少，但不得少于两个层次）
制定人：陶春兰
审定人： 批准人：
日 期：
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